Was ist focused ion beam?

Focused Ion Beam (FIB) ist eine Technologie, die in der Nanotechnologie und Materialwissenschaft verwendet wird. Diese Technik nutzt einen fokussierten Ionenstrahl, um Materialien präzise zu bearbeiten, analysieren oder zu manipulieren.

Ein FIB-System besteht in der Regel aus einer hochenergetischen Ionenquelle, wie zum Beispiel Gallium oder Xenon, und einem Elektronenmikroskop zur Bildgebung und Kontrolle. Der Ionenstrahl wird auf das gewünschte Material fokussiert und kann es schneiden, ätzen, dotieren oder Ionenaustausch durchführen.

Durch die Verwendung eines fokussierten Ionenstrahls ermöglicht FIB hochauflösende Bildgebung und Manipulation auf der Nanoebene. Der Strahl kann Materialien bis auf wenige Nanometer genau entfernen oder neustrukturieren. Dies macht die Technologie besonders nützlich für die Herstellung von Mikro- und Nanostrukturen, das Aufbringen von Masken oder das Präparieren von Proben für die hochauflösende Elektronenmikroskopie.

FIB wird auch häufig in der Halbleitertechnologie eingesetzt, um Proben für die Charakterisierung oder Fehleranalyse vorzubereiten. Durch die präzise Bedienung des Ionenstrahls können Bauelemente, wie beispielsweise Transistoren, modifiziert oder repariert werden.

Eine weitere Anwendung von FIB ist die Materialanalyse. Durch den Ionenstrahl kann Material von der Probe abgetragen und anschließend in einem Massenspektrometer analysiert werden. Dies ermöglicht die Identifizierung von Bestandteilen und Defekten in Materialien.

Insgesamt bietet die FIB-Technologie eine vielseitige, präzise und hochauflösende Methode für die Manipulation und Analyse von Materialien auf der Nanoskala. Diese Technik wird in verschiedenen Bereichen wie der Mikroelektronik, Materialwissenschaft, Biologie und der Halbleiterindustrie eingesetzt.

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